TPH3205WSBQA

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Spezifikation

Artikelnummer

TPH3205WSBQA
Hersteller / Marke

Transphorm
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 650V 35A TO247
Bleifreier Status / RoHS Status
Datenblätte

1.TPH3205WSBQA.pdf
2.TPH3205WSBQA.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.6V @ 700µA
Vgs (Max)

±18V
Technologie

GaNFET (Gallium Nitride)
Supplier Device-Gehäuse

TO-247
Serie

Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs

62 mOhm @ 22A, 8V
Verlustleistung (max)

125W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-247-3
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

6 Weeks
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2200pF @ 400V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

42nC @ 8V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-
Drain-Source-Spannung (Vdss)

650V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 650V 35A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-247
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

35A (Tc)

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Wir unterstützen mehrere Zahlungsmethoden, einschließlich Kreditkarten, Kabelübertragungen und andere Optionen, und akzeptieren die meisten Währungen.Für Bestellungen in USD sind zusätzliche Zahlungsoptionen verfügbar.Weitere Informationen zu Zahlungsmethoden und -verfahren erhalten Sie von unserem Verkaufsteam.

Das Folgende sind "TPH3205WSBQA" -Einziper.

TPH3208LD

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 20A PQFN

Hersteller: Transphorm

vorrätig

TPH3205WSBQA

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