TPH2R608NH,L1Q

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Spezifikation

Artikelnummer

TPH2R608NH,L1Q
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

TPH2R608NH,L1Q.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-SOP Advance (5x5)
Serie

U-MOSVIII-H
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.6 mOhm @ 50A, 10V
Verlustleistung (max)

142W (Tc)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerVDFN
Andere Namen

TPH2R608NHL1QCT
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6000pF @ 37.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

72nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

75V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 75V 150A (Tc) 142W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

150A (Tc)

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Das Folgende sind "TPH2R608NH,L1Q" -Einziper.

TPH1R204PL,L1Q

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 150A

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

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TPH2R608NH,L1Q

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