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TPCP8103-H(TE85LFM

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Spezifikation

Artikelnummer

TPCP8103-H(TE85LFM
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 40V 4.8A PS-8
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.TPCP8103-H(TE85LFM.pdf
2.TPCP8103-H(TE85LFM.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PS-8 (2.9x2.4)
Serie

U-MOSIII-H
Rds On (Max) @ Id, Vgs

40 mOhm @ 2.4A, 10V
Verlustleistung (max)

840mW (Ta)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

8-SMD, Flat Lead
Andere Namen

TPCP8103-H(TE85LFMCT
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

800pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

19nC @ 10V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

40V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 40V 4.8A (Ta) 840mW (Ta) Surface Mount PS-8 (2.9x2.4)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

4.8A (Ta)

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Das Folgende sind "TPCP8103-H(TE85LFM" -Einziper.

TPCP8004(TE85L,F)

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 8.3A PS-8

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TPCP8103-H(TE85LFM

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