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320156TPC9.1AHM3_A/I-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

TPC9.1AHM3_A/I

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    TPC9.1AHM3_A/I
  • Hersteller / Marke
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 7.78V 13.4V TO277A
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    TPC9.1AHM3_A/I.pdf
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)
    7.78V
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    13.4V
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    8.65V
  • Unidirektionale Kanäle
    1
  • Art
    Zener
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-277A (SMPC)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101, PAR®, eSMP®
  • Stromleitungsschutz
    No
  • Power - Peak Pulse
    1500W (1.5kW)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-277, 3-PowerDFN
  • Betriebstemperatur
    -65°C ~ 185°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    44 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    112A
  • Kapazität @ Frequenz
    -
  • Anwendungen
    Automotive

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Das Folgende sind "TPC9.1AHM3_A/I" -Einziper.
TPC8223-H,LQ(S

TPC8223-H,LQ(S

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOP

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TPCA8010-H(TE12LQM

TPCA8010-H(TE12LQM

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 5.5A SOP-8 ADV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TPCA8008-H(TE12L,Q

TPCA8008-H(TE12L,Q

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 4A 8-SOPA

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TPC8A05-H(TE12L,QM

TPC8A05-H(TE12L,QM

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TPC8408,LQ(S

TPC8408,LQ(S

Beschreibung:

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TPC8405(TE12L,Q,M)

TPC8405(TE12L,Q,M)

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.5A 8SOP

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TPCA8008-H(TE12LQM

TPCA8008-H(TE12LQM

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 4A SOP-8 ADV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TPC9.1HM3/86A

TPC9.1HM3/86A

Beschreibung: TVS DIODE 7.37VWM 13.8VC SMPC

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
TPC9.1HM3/87A

TPC9.1HM3/87A

Beschreibung: TVS DIODE 7.37V 13.8V TO277A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
TPC9.1AHM3/87A

TPC9.1AHM3/87A

Beschreibung: TVS DIODE 7.78V 13.4V TO277A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
TPCA8005-H(TE12LQM

TPCA8005-H(TE12LQM

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 27A SOP-8 ADV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TPCA8007-H(TE12L,Q

TPCA8007-H(TE12L,Q

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 20A 8-SOPA

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TPC9.1AHM3_A/H

TPC9.1AHM3_A/H

Beschreibung: TVS DIODE SMPC TO-277A

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
TPC8A06-H(TE12LQM)

TPC8A06-H(TE12LQM)

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 12A 8SOP

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TPCA8010-H(TE12L,Q

TPCA8010-H(TE12L,Q

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 5.5A 8-SOPA

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TPCA8003-H(TE12LQM

TPCA8003-H(TE12LQM

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 35A SOP-8 ADV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TPC9.1AHM3/86A

TPC9.1AHM3/86A

Beschreibung: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC SMPC

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
TPCA8009-H(TE12L,Q

TPCA8009-H(TE12L,Q

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 7A 8-SOPA

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TPC8407,LQ(S

TPC8407,LQ(S

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 9A/7.4A 8SOP

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TPC8A02-H(TE12L,Q)

TPC8A02-H(TE12L,Q)

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 16A SOP8 2-6J1B

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
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