TK58E06N1,S1X

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig

$0.426

10+

$0.376

50+

$0.352

100+

$0.325

500+

$0.31

1000+

$0.303

Anfrage online

Spezifikation

Artikelnummer

TK58E06N1,S1X
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

TK58E06N1,S1X.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 500µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-220
Serie

U-MOSVIII-H
Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.4 mOhm @ 29A, 10V
Verlustleistung (max)

110W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3
Andere Namen

TK58E06N1,S1X(S
TK58E06N1S1X
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3400pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

46nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 60V 58A (Ta) 110W (Tc) Through Hole TO-220
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

58A (Ta)

relevante Nachrichten
Versand
Zahlungsmittel

Wir haben langfristige Partnerschaften mit wichtigen globalen Logistikanbietern eingerichtet, die flexible und effiziente Versandlösungen anbieten, die auf Ihre einzigartigen Anforderungen zugeschnitten sind.Abhängig von der Größe, dem Gewicht und dem Ziel Ihrer Bestellung wählen wir den am besten geeigneten Versandunternehmen.Wir bieten auch Echtzeit-Logistikverfolgungsdienste an und ermöglichen es den Kunden, den Standort und den Status ihrer Waren jederzeit zu verstehen. Wenn Sie über bestimmte internationale Versandrouten oder einen bestimmten Spediteur verfügen, wenden Sie sich bitte an unser Verkaufsteam-wir berücksichtigen Ihre Anforderungen gerne.

Wir unterstützen mehrere Zahlungsmethoden, einschließlich Kreditkarten, Kabelübertragungen und andere Optionen, und akzeptieren die meisten Währungen.Für Bestellungen in USD sind zusätzliche Zahlungsoptionen verfügbar.Weitere Informationen zu Zahlungsmethoden und -verfahren erhalten Sie von unserem Verkaufsteam.

Das Folgende sind "TK58E06N1,S1X" -Einziper.

TK56E12N1,S1X

Beschreibung: MOSFET N CH 120V 56A TO-220

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TK58E06N1,S1X

Online-Anfrage

Referenzpreis (in US-Dollar)

AI-Driven Future: Semiconductor and Electronic Component In...

Renesas Electronics Abandons SIC Power Chip -Produktionspla...

Ireland’s “Silicon Island” Plan: Strengthening Europe’s...

AMD erwirbt Silicon Photonics Chip Company Enoemi und stär...

AI Chip -Startup EdgeCortix erhält 3 Milliarden Yen -Subve...

WolfSpeed ​​Pläne Insolvenz, Renesas gegenüber 2 Millia...

Institution: Die erwarteten NAND-Flash-Preise werden im dri...

NVIDIA to Build Giant AI Supercomputer in Taiwan

Foxconn investiert 1,5 Milliarden US -Dollar, um seine Fabr...

Institution: Die Produktionsschwierigkeit von HBM4 hat mit ...

Crusoe Texas Data Center sammelt Finanzmittel in Höhe von ...

Siemens erwirbt EDA Software Developer Excellicon

Review (1)

Stal***e

Quick inquiry

Sprache auswählen

Aktuelle Sprache

WolfSpeed Pläne Insolvenz, Renesas gegenüber 2 Millia...