TK50P03M1(T6RSS-Q)

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Spezifikation

Artikelnummer

TK50P03M1(T6RSS-Q)
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 50A DP TO252-3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

TK50P03M1(T6RSS-Q).pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.3V @ 200µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

DP
Serie

U-MOSVI-H
Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.5 mOhm @ 25A, 10V
Verlustleistung (max)

47W (Tc)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen

TK50P03M1(T6RSSQ)CT
TK50P03M1T6RSSQ
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1700pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25.3nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 50A (Ta) 47W (Tc) Surface Mount DP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

50A (Ta)

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Das Folgende sind "TK50P03M1(T6RSS-Q)" -Einziper.

TK55

Beschreibung: 3M PELTOR REMOTE RING FI

Hersteller: 3M

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