6201886

TJ8S06M3L(T6L1,NQ)

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Spezifikation

Artikelnummer

TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 60V 8A DPAK-3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.TJ8S06M3L(T6L1,NQ).pdf
2.TJ8S06M3L(T6L1,NQ).pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 1mA
Vgs (Max)

+10V, -20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

DPAK+
Serie

U-MOSVI
Rds On (Max) @ Id, Vgs

104 mOhm @ 4A, 10V
Verlustleistung (max)

27W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen

TJ8S06M3L(T6L1NQ)
TJ8S06M3LT6L1NQ
Betriebstemperatur

175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

890pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

19nC @ 10V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 60V 8A (Ta) 27W (Tc) Surface Mount DPAK+
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

8A (Ta)

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Das Folgende sind "TJ8S06M3L(T6L1,NQ)" -Einziper.

AO5401EL

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 0.5A SC89-3L

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

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