TJ60S06M3L(T6L1,NQ

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Spezifikation

Artikelnummer

TJ60S06M3L(T6L1,NQ
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.TJ60S06M3L(T6L1,NQ.pdf
2.TJ60S06M3L(T6L1,NQ.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 1mA
Vgs (Max)

+10V, -20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

DPAK+
Serie

U-MOSVI
Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.2 mOhm @ 30A, 10V
Verlustleistung (max)

100W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen

TJ60S06M3L(T6L1NQ
TJ60S06M3LT6L1NQ
Betriebstemperatur

175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7760pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

156nC @ 10V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 60V 60A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount DPAK+
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

60A (Ta)

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Das Folgende sind "TJ60S06M3L(T6L1,NQ" -Einziper.

NTMFS5C670NLT1G

Beschreibung:

Hersteller: ON Semiconductor

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