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4988780SSM6N815R,LF-Bild.Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N815R,LF

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    SSM6N815R,LF
  • Hersteller / Marke
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    SSM6N815R,LF.pdf
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 100µA
  • Supplier Device-Gehäuse
    6-TSOP-F
  • Serie
    U-MOSVIII-H
  • Leistung - max
    1.8W (Ta)
  • Verpackung
    Original-Reel®
  • Verpackung / Gehäuse
    6-SMD, Flat Leads
  • Andere Namen
    SSM6N815RLFDKR
  • Betriebstemperatur
    150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    290pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    3.1nC @ 4.5V
  • Typ FET
    2 N-Channel (Dual)
  • FET-Merkmal
    Logic Level Gate, 4V Drive
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    100V
  • detaillierte Beschreibung
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 2A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount 6-TSOP-F
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    2A (Ta)

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Das Folgende sind "SSM6N815R,LF" -Einziper.
SSM6P15FE(TE85L,F)

SSM6P15FE(TE85L,F)

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 30V 0.1A ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
SSM6N7002KFU,LF

SSM6N7002KFU,LF

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
SSM6N57NU,LF

SSM6N57NU,LF

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
SSM6P47NU,LF(T

SSM6P47NU,LF(T

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 4A 2-2Y1A

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
SSM6N7002BFU(T5L,F

SSM6N7002BFU(T5L,F

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
SSM6P35FE(TE85L,F)

SSM6P35FE(TE85L,F)

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 0.1A ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
SSM6P35FE,LM

SSM6P35FE,LM

Beschreibung: MOSFET 2NCH 20V 100MA ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
SSM6N68NU,LF

SSM6N68NU,LF

Beschreibung:

Hersteller: TOSHIBA
vorrätig
RFQ
SSM6P16FE(TE85L,F)

SSM6P16FE(TE85L,F)

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 0.1A ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
SSM6N7002BFU,LF

SSM6N7002BFU,LF

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
SSM6N58NU,LF

SSM6N58NU,LF

Beschreibung:

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
SSM6N7002BFE(T5L,F

SSM6N7002BFE(T5L,F

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
SSM6N61NU,LF

SSM6N61NU,LF

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 4A UDFN

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
SSM6P41FE(TE85L,F)

SSM6P41FE(TE85L,F)

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 0.72A ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
SSM6P36FE,LM

SSM6P36FE,LM

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 0.33A ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
SSM6N7002BFE,LM

SSM6N7002BFE,LM

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
SSM6N56FE,LM

SSM6N56FE,LM

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
SSM6N67NU,LF

SSM6N67NU,LF

Beschreibung: SMALL LOW RON DUAL NCH MOSFETS I

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
SSM6N7002CFU,LF

SSM6N7002CFU,LF

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 0.17A US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
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SSM6P49NU,LF

SSM6P49NU,LF

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 4A 2-1Y1A

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ

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