SSM6N58NU,LF

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Spezifikation

Artikelnummer

SSM6N58NU,LF
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SSM6N58NU,LF.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA
Supplier Device-Gehäuse

6-UDFN (2x2)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

84 mOhm @ 2A, 4.5V
Leistung - max

1W
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

6-WDFN Exposed Pad
Andere Namen

SSM6N58NU,LF(B
SSM6N58NU,LF(T
SSM6N58NULF
SSM6N58NULFTR
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

129pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.8nC @ 4.5V
Typ FET

2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Logic Level Gate, 1.8V Drive
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4A 1W Surface Mount 6-UDFN (2x2)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

4A

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Das Folgende sind "SSM6N58NU,LF" -Einziper.

SSM6N67NU,LF

Beschreibung: SMALL LOW RON DUAL NCH MOSFETS I

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

SSM6N58NU,LF

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