SSM6J502NU,LF(T

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Spezifikation

Artikelnummer

SSM6J502NU,LF(T
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SSM6J502NU,LF(T.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA
Vgs (Max)

±8V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

6-UDFNB (2x2)
Serie

U-MOSVI
Rds On (Max) @ Id, Vgs

23.1 mOhm @ 4A, 4.5V
Verlustleistung (max)

1W (Ta)
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

6-WDFN Exposed Pad
Andere Namen

SSM6J502NULF(TDKR
SSM6J502NULFDKR
SSM6J502NULFDKR-ND
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1800pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24.8nC @ 4.5V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 20V 6A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 6-UDFNB (2x2)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

6A (Ta)

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Das Folgende sind "SSM6J502NU,LF(T" -Einziper.

SSM6J771G,LF

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 5A 6WCSP

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

SSM6J502NU,LF(T

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