SSM4K27CTTPL3

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Spezifikation

Artikelnummer

SSM4K27CTTPL3
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 20V .5A CST4
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.SSM4K27CTTPL3.pdf
2.SSM4K27CTTPL3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1.1V @ 1mA
Vgs (Max)

±12V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

CST4 (1.2x0.8)
Serie

U-MOSIII
Rds On (Max) @ Id, Vgs

205 mOhm @ 250mA, 4V
Verlustleistung (max)

400mW (Ta)
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

4-SMD, No Lead
Andere Namen

SSM4K27CT(TPL3)DKR
SSM4K27CT(TPL3)DKR-ND
SSM4K27CTTPL3DKR
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

174pF @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 20V 500mA (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount CST4 (1.2x0.8)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

500mA (Ta)

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Das Folgende sind "SSM4K27CTTPL3" -Einziper.

SSM4567ACBZ-R7

Beschreibung: 0.4MM PITCH FILTERLESS CLASSD MO

Hersteller: ADI (Analog Devices, Inc.)

vorrätig

SSM4K27CTTPL3

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