SSM3K35MFV(TPL3)

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Spezifikation

Artikelnummer

SSM3K35MFV(TPL3)
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 20V 0.18A VESM
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.SSM3K35MFV(TPL3).pdf
2.SSM3K35MFV(TPL3).pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA
Vgs (Max)

±10V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

VESM
Serie

π-MOSVI
Rds On (Max) @ Id, Vgs

3 Ohm @ 50mA, 4V
Verlustleistung (max)

150mW (Ta)
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

SOT-723
Andere Namen

SSM3K35MFV(TPL3)DKR
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

9.5pF @ 3V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V, 4V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 20V 180mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VESM
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

180mA (Ta)

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Das Folgende sind "SSM3K35MFV(TPL3)" -Einziper.

SSM3K35AMFV,L3F

Beschreibung:

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

SSM3K35MFV(TPL3)

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