SSM3J56ACT,L3F

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Spezifikation

Artikelnummer

SSM3J56ACT,L3F
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SSM3J56ACT,L3F.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA
Vgs (Max)

±8V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

CST3
Serie

U-MOSVI
Rds On (Max) @ Id, Vgs

390 mOhm @ 800mA, 4.5V
Verlustleistung (max)

500mW (Ta)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

SC-101, SOT-883
Andere Namen

SSM3J56ACTL3FCT
Betriebstemperatur

150°C
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

100pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.6nC @ 4.5V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 20V 1.4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount CST3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

1.4A (Ta)

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SSM3J35CTC,L3F

Beschreibung:

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

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