RN2102,LF(CT

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Spezifikation

Artikelnummer

RN2102,LF(CT
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

RN2102,LF(CT.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA
Transistor-Typ

PNP - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse

SSM
Serie

-
Widerstand - Emitterbasis (R2)

10 kOhms
Widerstand - Basis (R1)

10 kOhms
Leistung - max

100mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SC-75, SOT-416
Andere Namen

RN2102(T5L,F,T)
RN2102(T5LFT)TR
RN2102(T5LFT)TR-ND
RN2102,LF(CB
RN2102LF(CTTR
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

16 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

200MHz
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount SSM
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

50 @ 10mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA

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Das Folgende sind "RN2102,LF(CT" -Einziper.

RN2101ACT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

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RN2102,LF(CT

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