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1736640RN1313(TE85L,F)-Bild.Toshiba Semiconductor and Storage

RN1313(TE85L,F)

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RN1313(TE85L,F)
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS PREBIAS NPN 0.15W USM
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    50V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Transistor-Typ
    NPN - Pre-Biased
  • Supplier Device-Gehäuse
    USM
  • Serie
    -
  • Widerstand - Basis (R1)
    47 kOhms
  • Leistung - max
    150mW
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    SC-70, SOT-323
  • Andere Namen
    RN1313(TE85LF)CT
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenz - Übergang
    250MHz
  • detaillierte Beschreibung
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount USM
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    120 @ 1mA, 5V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    100nA (ICBO)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    100mA
RN1316,LF

RN1316,LF

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN1314(TE85L,F)

RN1314(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN1309,LF

RN1309,LF

Beschreibung: X34 PB-F USM TRANSISTOR PD 100MW

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN1317(TE85L,F)

RN1317(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN1318(TE85L,F)

RN1318(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN1309(TE85L,F)

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Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN1304,LF

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Beschreibung: X34 PB-F USM PLN (LF) TRANSISTOR

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN1307,LF

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Beschreibung: X34 PB-F USM TRANSISTOR PD 100MW

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN131C/RM481

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Beschreibung: RF TXRX MODULE WIFI CHIP ANT UFL

Hersteller: Micrel / Microchip Technology
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RN1306,LF

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Beschreibung:

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN131G-I/RM

RN131G-I/RM

Beschreibung: RF TXRX MOD WIFI CHIP + U.FL ANT

Hersteller: Micrel / Microchip Technology
vorrätig
RN1315,LF

RN1315,LF

Beschreibung: X34 PB-F USM TRANSISTOR PD 100MW

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN1308,LF

RN1308,LF

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN1312(TE85L,F)

RN1312(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.15W USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN131C/RM475

RN131C/RM475

Beschreibung: RF TXRX MOD WIFI CHIP + U.FL ANT

Hersteller: Micrel / Microchip Technology
vorrätig
RN1305,LF

RN1305,LF

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN131C/RM

RN131C/RM

Beschreibung: RF TXRX MOD WIFI CHIP + U.FL ANT

Hersteller: Micrel / Microchip Technology
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RN131G-I/RM475

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Beschreibung:

Hersteller: Microchip Technology Inc
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RN1310(TE85L,F)

RN1310(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN1311,LF

RN1311,LF

Beschreibung: X34 PB-F USM TRANSISTOR PD 100MW

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