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2209400RN1118(T5L,F,T)-Bild.Toshiba Semiconductor and Storage

RN1118(T5L,F,T)

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RN1118(T5L,F,T)
  • Hersteller / Marke
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    RN1118(T5L,F,T).pdf
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    50V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Transistor-Typ
    NPN - Pre-Biased
  • Supplier Device-Gehäuse
    SSM
  • Serie
    -
  • Widerstand - Emitterbasis (R2)
    10 kOhms
  • Widerstand - Basis (R1)
    47 kOhms
  • Leistung - max
    100mW
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    SC-75, SOT-416
  • Andere Namen
    RN1118(T5LFT)TR
    RN1118T5LFT
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenz - Übergang
    250MHz
  • detaillierte Beschreibung
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount SSM
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    50 @ 10mA, 5V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    500nA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    100mA

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Das Folgende sind "RN1118(T5L,F,T)" -Einziper.
RN1113MFV,L3F

RN1113MFV,L3F

Beschreibung: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN112-0.5-02-27M

RN112-0.5-02-27M

Beschreibung: CMC 27MH 500MA 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.
vorrätig
RFQ
RN1117(T5L,F,T)

RN1117(T5L,F,T)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN112-0.5-02

RN112-0.5-02

Beschreibung: CMC 27MH 500MA 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.
vorrätig
RFQ
RN111PC

RN111PC

Beschreibung: CONN JACK MONO 6.35MM R/A

Hersteller: Conxall / Switchcraft
vorrätig
RFQ
RN112-0.4-02-39M

RN112-0.4-02-39M

Beschreibung: CMC 39MH 400MA 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.
vorrätig
RFQ
RN1114MFV,L3F

RN1114MFV,L3F

Beschreibung: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN112-0.4-02

RN112-0.4-02

Beschreibung: CMC 39MH 400MA 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.
vorrätig
RFQ
RN112-0.4-02-27M

RN112-0.4-02-27M

Beschreibung: CMC 27MH 400MA 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.
vorrätig
RFQ
RN1116MFV,L3F

RN1116MFV,L3F

Beschreibung: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN112-0.5-02-18M

RN112-0.5-02-18M

Beschreibung: CMC 18MH 500MA 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.
vorrätig
RFQ
RN1117MFV,L3F

RN1117MFV,L3F

Beschreibung: TRANS NPN PREBIAS 50V 100MA VESM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1116(TE85L,F)

RN1116(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN112-0.5-02-15M

RN112-0.5-02-15M

Beschreibung: CMC 15MH 500MA 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.
vorrätig
RFQ
RN1119MFV,L3F

RN1119MFV,L3F

Beschreibung: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1118MFV,L3F

RN1118MFV,L3F

Beschreibung: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1113CT(TPL3)

RN1113CT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1114(T5L,F,T)

RN1114(T5L,F,T)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1115,LF(CT

RN1115,LF(CT

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1115MFV,L3F

RN1115MFV,L3F

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ

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