RN1103MFV(TPL3)

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Spezifikation

Artikelnummer

RN1103MFV(TPL3)
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

RN1103MFV(TPL3).pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 5mA
Transistor-Typ

NPN - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse

VESM
Serie

-
Widerstand - Emitterbasis (R2)

22 kOhms
Widerstand - Basis (R1)

22 kOhms
Leistung - max

150mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SOT-723
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

12 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

70 @ 10mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA
Basisteilenummer

RN110*

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Das Folgende sind "RN1103MFV(TPL3)" -Einziper.

RN1105,LF(CT

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1W SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

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