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5985419HN2D01JE(TE85L,F)-Bild.Toshiba Semiconductor and Storage

HN2D01JE(TE85L,F)

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    HN2D01JE(TE85L,F)
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE ARRAY GP 80V 100MA ESV
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.2V @ 100mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    80V
  • Supplier Device-Gehäuse
    ESV
  • Geschwindigkeit
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    1.6ns
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    SOT-553
  • Andere Namen
    HN2D01JE(TE85LF)CT
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    150°C (Max)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • Diodenkonfiguration
    2 Independent
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Array 2 Independent Standard 80V 100mA Surface Mount SOT-553
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    500nA @ 80V
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    100mA
HN2A01FU-Y(TE85L,F

HN2A01FU-Y(TE85L,F

Beschreibung: TRANS 2PNP 50V 0.15A US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
HN2A01FU-GR(TE85LF

HN2A01FU-GR(TE85LF

Beschreibung: TRANS 2PNP 50V 0.15A US6-PLN

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
HN2C01FU-Y(TE85L,F

HN2C01FU-Y(TE85L,F

Beschreibung: TRANS 2NPN 50V 0.15A US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
HN2C01FE-GR(T5L,F)

HN2C01FE-GR(T5L,F)

Beschreibung: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
HN2S03FE(TE85L,F)

HN2S03FE(TE85L,F)

Beschreibung: DIODE ARRAY SCHOTTKY 20V ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
HN2A01FE-Y(TE85L,F

HN2A01FE-Y(TE85L,F

Beschreibung: TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
HN2A01FE-GR(TE85LF

HN2A01FE-GR(TE85LF

Beschreibung: TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
HN2D02FUTW1T1G

HN2D02FUTW1T1G

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC88

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
HN2S01FUTE85LF

HN2S01FUTE85LF

Beschreibung: DIODE ARRAY SCHOTTKY 10V US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
HN2S02JE(TE85L,F)

HN2S02JE(TE85L,F)

Beschreibung: DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V ESV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
HN2D01FTE85LF

HN2D01FTE85LF

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 80MA SC74

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
HN2D01FU(TE85L,F)

HN2D01FU(TE85L,F)

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 80MA US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
HN2C01FEYTE85LF

HN2C01FEYTE85LF

Beschreibung: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
HN2C01FU-GR(T5L,F)

HN2C01FU-GR(T5L,F)

Beschreibung: TRANS 2NPN 50V 0.15A US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
HN2S03FUTE85LF

HN2S03FUTE85LF

Beschreibung: DIODE ARRAY SCHOTTKY 20V US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
HN2D02FUTW1T1

HN2D02FUTW1T1

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC88

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
HN2D03F(TE85L,F)

HN2D03F(TE85L,F)

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 400V 100MA SM6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
HN2X2WH6

HN2X2WH6

Beschreibung: WIRE DUCT SLOTTED SCREW WHITE 6'

Hersteller: Panduit
vorrätig
HN2X2LG6

HN2X2LG6

Beschreibung: WIRE DUCT SLOTTED SCREW GRAY 6'

Hersteller: Panduit
vorrätig
HN2S03T(TE85L)

HN2S03T(TE85L)

Beschreibung: DIODE ARRAY SCHOTTKY 20V TESQ

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
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