2SC2235-Y(T6KMATFM

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Spezifikation

Artikelnummer

2SC2235-Y(T6KMATFM
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS NPN 800MA 120V TO226-3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

2SC2235-Y(T6KMATFM.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

120V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA
Transistor-Typ

NPN
Supplier Device-Gehäuse

TO-92MOD
Serie

-
Leistung - max

900mW
Verpackung

Bulk
Verpackung / Gehäuse

TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Andere Namen

2SC2235YT6KMATFM
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

120MHz
detaillierte Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 120V 800mA 120MHz 900mW Through Hole TO-92MOD
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

80 @ 100mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)

800mA

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Das Folgende sind "2SC2235-Y(T6KMATFM" -Einziper.

2SC2235-Y,USNHF(M

Beschreibung: TRANS NPN 800MA 120V TO226-3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

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