2SA1837,TOA1F(J

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Spezifikation

Artikelnummer

2SA1837,TOA1F(J
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS PNP 1A 230V TO220-3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

2SA1837,TOA1F(J.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

230V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 50mA, 500mA
Transistor-Typ

PNP
Supplier Device-Gehäuse

TO-220NIS
Serie

-
Leistung - max

2W
Verpackung

Bulk
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3 Full Pack
Andere Namen

2SA1837TOA1F(J
2SA1837TOA1FJ
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

70MHz
detaillierte Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor PNP 230V 1A 70MHz 2W Through Hole TO-220NIS
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

100 @ 100mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

1µA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)

1A

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Das Folgende sind "2SA1837,TOA1F(J" -Einziper.

2SA1837,HFEMBJF(J

Beschreibung: TRANS PNP 1A 230V TO220-3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

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