2SA1020-Y(T6OMI,FM

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Spezifikation

Artikelnummer

2SA1020-Y(T6OMI,FM
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS PNP 2A 50V TO226-3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

2SA1020-Y(T6OMI,FM.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 1A
Transistor-Typ

PNP
Supplier Device-Gehäuse

TO-92MOD
Serie

-
Leistung - max

900mW
Verpackung

Bulk
Verpackung / Gehäuse

TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Andere Namen

2SA1020-Y(T6OMIFM
2SA1020YT6OMIFM
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

100MHz
detaillierte Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 2A 100MHz 900mW Through Hole TO-92MOD
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

70 @ 500mA, 2V
Strom - Collector Cutoff (Max)

1µA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)

2A

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Das Folgende sind "2SA1020-Y(T6OMI,FM" -Einziper.

2SA1020-Y(T6ND1,AF

Beschreibung: TRANS PNP 2A 50V TO226-3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

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