TSM60N1R4CP ROG

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Spezifikation

Artikelnummer

TSM60N1R4CP ROG
Hersteller / Marke

Taiwan Semiconductor
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 600V 3.3A TO252
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

TSM60N1R4CP ROG.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-252, (D-Pak)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4 Ohm @ 2A, 10V
Verlustleistung (max)

38W (Tc)
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen

TSM60N1R4CP ROGDKR
TSM60N1R4CP ROGDKR-ND
TSM60N1R4CPROGDKR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

370pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.7nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 600V 3.3A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

3.3A (Tc)

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Das Folgende sind "TSM60N1R4CP ROG" -Einziper.

TSM60N06CP ROG

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 60V 66A TO252

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

TSM60N1R4CP ROG

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