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6419581S8KCHR7G-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

S8KCHR7G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    S8KCHR7G
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 800V 8A DO214AB
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    985mV @ 8A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    800V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-214AB (SMC)
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AB, SMC
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    40 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 800V 8A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 800V
  • Strom - Richt (Io)
    8A
  • Kapazität @ Vr, F
    48pF @ 4V, 1MHz
S8KC V6G

S8KC V6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 8A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
VSB1545-M3/54

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Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 45V 15A P600

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
S8KC M6G

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 8A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
MURS320-E3/57T

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Beschreibung:

Hersteller: Vishay Semiconductors
vorrätig
AK 09WK

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Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 90V 700MA AXIAL

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
RS2AHE3_A/I

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SFA1005GHC0G

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V 10A TO220AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
S8KC-13

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Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ES07D-M-18

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 500MA DO219

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
S8KCHM6G

S8KCHM6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 8A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
VS-18TQ035STRL-M3

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Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 35V 18A D2PAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RB168VYM-60FHTR

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Beschreibung:

Hersteller: Rohm Semiconductor
vorrätig
FES16CT

FES16CT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 16A TO220AC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
S8KC R7G

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 8A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
S8KC V7G

S8KC V7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 8A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
1N4934-E3/54

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Beschreibung:

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
VS-HFA16PB120HN3

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Beschreibung: DIODE HEXFRED 16A 1200V TO-247AC

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
S4PDHM3_A/I

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 4A TO277A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
S2GA R3G

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
TST30U60CW C0G

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Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 60V 15A TO220AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig

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