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6317619S8KC V6G-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

S8KC V6G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    S8KC V6G
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 800V 8A DO214AB
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    800V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-214AB (SMC)
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AB, SMC
  • Andere Namen
    S8KC V6G-ND
    S8KCV6G
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    6 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 800V 8A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 800V
  • Strom - Richt (Io)
    8A
  • Kapazität @ Vr, F
    48pF @ 4V, 1MHz
JAN1N4454UR-1

JAN1N4454UR-1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 4A DO213AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
S8KC-13

S8KC-13

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
S8KCHM6G

S8KCHM6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 8A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
B230Q-13-F

B230Q-13-F

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 2A SMB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
MBRM110ET1G

MBRM110ET1G

Beschreibung:

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
S8KC R7G

S8KC R7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 8A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
SS210-E3/52T

SS210-E3/52T

Beschreibung:

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SK56BHM4G

SK56BHM4G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 60V 5A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
R9G21809ASOO

R9G21809ASOO

Beschreibung: DIODE FAST REC R9G 900A 1800V

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
MMBD1501A_D87Z

MMBD1501A_D87Z

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
MMBD1501

MMBD1501

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
S8KC M6G

S8KC M6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 8A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
1N4933RLG

1N4933RLG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO41

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
SK82C V7G

SK82C V7G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 8A 20V DO-214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
VS-6TQ040STRL-M3

VS-6TQ040STRL-M3

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 6A TO263AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
VS-25FR120

VS-25FR120

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 25A DO203AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
S8KCHR7G

S8KCHR7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 8A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
R3840

R3840

Beschreibung: RECTIFIER

Hersteller: Microsemi
vorrätig
S8KC V7G

S8KC V7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 8A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
S3560

S3560

Beschreibung: RECTIFIER

Hersteller: Microsemi
vorrätig

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