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1623459S8GC V7G-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

S8GC V7G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    S8GC V7G
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 400V 8A DO214AB
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    985mV @ 8A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    400V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-214AB (SMC)
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AB, SMC
  • Andere Namen
    S8GC V7GCT-ND
    S8GCV7GCT
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    6 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 400V 8A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 400V
  • Strom - Richt (Io)
    8A
  • Kapazität @ Vr, F
    48pF @ 4V, 1MHz
RO 2BV

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S8GC R7G

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 8A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
S8GCHM6G

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 8A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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MBR30150FCTE3/TU

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Hersteller: Microsemi
vorrätig

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