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2590880ESJLW RQG-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

ESJLW RQG

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    ESJLW RQG
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE, SUPER FAST
  • Bleifreier Status / RoHS Status
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.7V @ 800mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    600V
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOD-123W
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    35ns
  • Verpackung / Gehäuse
    SOD-123W
  • Andere Namen
    ESJLWRQG
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    12 Weeks
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 600V 800mA Surface Mount SOD-123W
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1µA @ 600V
  • Strom - Richt (Io)
    800mA
  • Kapazität @ Vr, F
    19pF @ 4V, 1MHz
TSS83L45 MWG

TSS83L45 MWG

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 45V 3A SOD128

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
SR106-T

SR106-T

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO41

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
1N1346B

1N1346B

Beschreibung: STANDARD RECTIFIER

Hersteller: Microsemi
vorrätig
ESJLW RVG

ESJLW RVG

Beschreibung: DIODE, SUPER FAST

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
GP10-4005E-E3/53

GP10-4005E-E3/53

Beschreibung: DIODE GEN PURP 500V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RG 2A

RG 2A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
UPS6150E3/TR13

UPS6150E3/TR13

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 150V 6A POWERMITE

Hersteller: Microsemi
vorrätig
MBR80100R

MBR80100R

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY REV 100V DO5

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
S10GC R7G

S10GC R7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 10A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
CGRA4001-G

CGRA4001-G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Hersteller: Comchip Technology
vorrätig
RB521G-30HF

RB521G-30HF

Beschreibung:

Hersteller: Comchip Technology
vorrätig
FGP10DHE3/73

FGP10DHE3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
10TQ035S

10TQ035S

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 35V 10A D2PAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
ESJLWHRVG

ESJLWHRVG

Beschreibung: DIODE, SUPER FAST

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
VS-SD500N36PTC

VS-SD500N36PTC

Beschreibung: MOD DIODE 560A 3600V B-PUK

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
SS22-E3/52T

SS22-E3/52T

Beschreibung:

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
V10P8HM3_A/H

V10P8HM3_A/H

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 80V 10A TO277A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
VS-8EWS12STR-M3

VS-8EWS12STR-M3

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SIDC30D120E6X1SA2

SIDC30D120E6X1SA2

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
ESJLWHRQG

ESJLWHRQG

Beschreibung: DIODE, SUPER FAST

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig

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