SIDC30D120E6X1SA2

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Spezifikation

Artikelnummer

SIDC30D120E6X1SA2
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS nicht konform
Datenblätte

SIDC30D120E6X1SA2.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If

1.9V @ 35A
Spannung - Sperr (Vr) (max)

1200V
Supplier Device-Gehäuse

Sawn on foil
Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie

-
Verpackung

Bulk
Verpackung / Gehäuse

Die
Andere Namen

SIDC30D120E6
SIDC30D120E6-ND
SP000011946
Betriebstemperatur - Anschluss

-55°C ~ 150°C
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS non-compliant
Diodentyp

Standard
detaillierte Beschreibung

Diode Standard 1200V 35A (DC) Surface Mount Sawn on foil
Strom - Sperrleckstrom @ Vr

27µA @ 1200V
Strom - Richt (Io)

35A (DC)
Kapazität @ Vr, F

-

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Das Folgende sind "SIDC30D120E6X1SA2" -Einziper.

SIDC32D170HX1SA3

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.7KV 50A WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

SIDC30D120E6X1SA2

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