ESH1DM RSG

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Spezifikation

Artikelnummer

ESH1DM RSG
Hersteller / Marke

Taiwan Semiconductor
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

DIODE GEN PURP 200V 1A MICRO SMA
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

ESH1DM RSG.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If

1.5V @ 1A
Spannung - Sperr (Vr) (max)

200V
Supplier Device-Gehäuse

Micro SMA
Geschwindigkeit

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

-
Rückwärts-Erholzeit (Trr)

25ns
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

2-SMD, Flat Lead
Andere Namen

ESH1DM RSGTR
ESH1DM RSGTR-ND
ESH1DMRSGTR
Betriebstemperatur - Anschluss

-55°C ~ 150°C
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

25 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Diodentyp

Standard
detaillierte Beschreibung

Diode Standard 200V 1A Surface Mount Micro SMA
Strom - Sperrleckstrom @ Vr

1µA @ 200V
Strom - Richt (Io)

1A
Kapazität @ Vr, F

3pF @ 4V, 1MHz

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Das Folgende sind "ESH1DM RSG" -Einziper.

ESH1D-M3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

ESH1DM RSG

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