BZT52B6V2 RHG

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Spezifikation

Artikelnummer

BZT52B6V2 RHG
Hersteller / Marke

Taiwan Semiconductor
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

DIODE ZENER 6.2V 500MW SOD123F
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

BZT52B6V2 RHG.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Zener (Nom) (Vz)

6.2V
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If

1V @ 10mA
Toleranz

±2%
Supplier Device-Gehäuse

SOD-123F
Serie

-
Leistung - max

500mW
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

SOD-123F
Andere Namen

BZT52B6V2 RHGCT
BZT52B6V2 RHGCT-ND
BZT52B6V2RHGCT
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

30 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Impedanz (Max) (Zzt)

10 Ohms
detaillierte Beschreibung

Zener Diode 6.2V 500mW ±2% Surface Mount SOD-123F
Strom - Sperrleckstrom @ Vr

2.7µA @ 4V

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Das Folgende sind "BZT52B6V2 RHG" -Einziper.

BZT52B6V2-HE3-08

Beschreibung: DIODE ZENER 6.2V 410MW SOD123

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

BZT52B6V2 RHG

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