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BZD17C33P M2G

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Spezifikation

Artikelnummer

BZD17C33P M2G
Hersteller / Marke

Taiwan Semiconductor
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

DIODE ZENER 33V 800MW SUB SMA
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

BZD17C33P M2G.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Zener (Nom) (Vz)

33V
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 200mA
Toleranz

±6.06%
Supplier Device-Gehäuse

Sub SMA
Serie

-
Leistung - max

800mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

DO-219AB
Andere Namen

BZD17C33P M2G-ND
BZD17C33PM2G
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

21 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Impedanz (Max) (Zzt)

15 Ohms
detaillierte Beschreibung

Zener Diode 33V 800mW ±6.06% Surface Mount Sub SMA
Strom - Sperrleckstrom @ Vr

1µA @ 24V

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Das Folgende sind "BZD17C33P M2G" -Einziper.

BZD17C33P MQG

Beschreibung: DIODE ZENER 33V 800MW SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

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