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5312957GH06510B2A-Bild.Sharp Microelectronics

GH06510B2A

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    GH06510B2A
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    LASER DIODE 654NM 10MW TO18
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Wellenlänge
    654nm
  • Spannung - Eingang
    2.2V
  • Serie
    -
  • Leistung (W)
    10mW
  • Verpackung / Gehäuse
    Radial, Can, 3 Lead (5.6mm, TO-18)
  • Andere Namen
    425-1806
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    Laser Diode 654nm 10mW 2.2V 40mA Radial, Can, 3 Lead (5.6mm, TO-18)
  • Aktuelle Bewertung
    40mA
VLM-650-26-LPA

VLM-650-26-LPA

Beschreibung: LASER DIODE 650NM 5MW

Hersteller: Quarton, Inc.
vorrätig
OPV314F

OPV314F

Beschreibung: LASER DIODE 850NM 0.5MW PNL FC

Hersteller: Optek Technology / TT Electronics
vorrätig
DM80-01-3-9000-3-LC

DM80-01-3-9000-3-LC

Beschreibung: LASER DIODE 1578NM 2.511MW

Hersteller: Finisar Corporation
vorrätig
VLM-650-05 LPA

VLM-650-05 LPA

Beschreibung: LASER DIODE 650NM 2.5MW 6.5MM

Hersteller: Quarton, Inc.
vorrätig
GH06560B2C

GH06560B2C

Beschreibung: LASER DIODE 658NM 60MW TO18

Hersteller: Sharp Microelectronics
vorrätig
OPV382

OPV382

Beschreibung: LASER DIODE 850NM 1.5MW RAD SIDE

Hersteller: Optek Technology / TT Electronics
vorrätig
GH0358821MA6N

GH0358821MA6N

Beschreibung: CAP CER 820PF 50V X7R NONSTND

Hersteller: AVX Corporation
vorrätig
M8505I

M8505I

Beschreibung: LASER DIODE 850NM 5MW 10.4MM DIA

Hersteller: US-Lasers, Inc.
vorrätig
015285

015285

Beschreibung: LASER MODULE 473NM 75MW

Hersteller: Excelitas Technologies
vorrätig
SPL BK91-20 (912 +/-5NM)

SPL BK91-20 (912 +/-5NM)

Beschreibung: BARE LASER BAR

Hersteller: OSRAM Opto Semiconductors, Inc.
vorrätig
GH0781JA2C

GH0781JA2C

Beschreibung: LASER DIODE 784NM 120MW TO18

Hersteller: Sharp Microelectronics
vorrätig
GH04125A2A

GH04125A2A

Beschreibung: LASER DIODE 406NM 130MW TO18

Hersteller: Sharp Microelectronics
vorrätig
GH04P21A2GE

GH04P21A2GE

Beschreibung: LASER DIODE 406NM 105MW TO18

Hersteller: Sharp Microelectronics
vorrätig
DM80-01-3-8690-3-LC

DM80-01-3-8690-3-LC

Beschreibung: LASER DIODE 1604NM 2.511MW

Hersteller: Finisar Corporation
vorrätig
VLM-650-04 LPT

VLM-650-04 LPT

Beschreibung: LASER DIODE 650NM 2.5MW 6.5MM

Hersteller: Quarton, Inc.
vorrätig
GH06550B2B

GH06550B2B

Beschreibung: LASER DIODE 654NM 50MW TO18

Hersteller: Sharp Microelectronics
vorrätig
DM80-01-1-9050-3-LC

DM80-01-1-9050-3-LC

Beschreibung: LASER DIODE 1574NM 5.011MW

Hersteller: Finisar Corporation
vorrätig
GH06507B2A

GH06507B2A

Beschreibung: LASER DIODE 654NM 7MW TO18

Hersteller: Sharp Microelectronics
vorrätig
GH04020B2A

GH04020B2A

Beschreibung: LASER DIODE 406NM 20MW TO18

Hersteller: Sharp Microelectronics
vorrätig
DM80-01-3-9330-3-LC

DM80-01-3-9330-3-LC

Beschreibung: LASER DIODE 1551NM 2.511MW

Hersteller: Finisar Corporation
vorrätig

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