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GH04020B2A

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    GH04020B2A
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    LASER DIODE 406NM 20MW TO18
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Wellenlänge
    406nm
  • Spannung - Eingang
    4.9V
  • Serie
    -
  • Leistung (W)
    20mW
  • Verpackung / Gehäuse
    Radial, Can, 3 Lead (5.6mm, TO-18)
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    Laser Diode 406nm 20mW 4.9V 38mA Radial, Can, 3 Lead (5.6mm, TO-18)
  • Aktuelle Bewertung
    38mA
GH06507B2A

GH06507B2A

Beschreibung: LASER DIODE 654NM 7MW TO18

Hersteller: Sharp Microelectronics
vorrätig
D405-120

D405-120

Beschreibung: LASER DIODE 405NM 120MW TO18

Hersteller: US-Lasers, Inc.
vorrätig
FP-1310-51-100SMF-SCAPC

FP-1310-51-100SMF-SCAPC

Beschreibung: LASER DIODE 1310NM 10MW MODULE

Hersteller: Finisar Corporation
vorrätig
GH04P21A2GE

GH04P21A2GE

Beschreibung: LASER DIODE 406NM 105MW TO18

Hersteller: Sharp Microelectronics
vorrätig
GH06550B2B

GH06550B2B

Beschreibung: LASER DIODE 654NM 50MW TO18

Hersteller: Sharp Microelectronics
vorrätig
DM80-01-1-8830-3-LC

DM80-01-1-8830-3-LC

Beschreibung: LASER DIODE 1592NM 5.011MW

Hersteller: Finisar Corporation
vorrätig
DM80-01-3-9220-3-LC

DM80-01-3-9220-3-LC

Beschreibung: LASER DIODE 1560NM 2.511MW

Hersteller: Finisar Corporation
vorrätig
GH06560B2C

GH06560B2C

Beschreibung: LASER DIODE 658NM 60MW TO18

Hersteller: Sharp Microelectronics
vorrätig
GH0358821MA6N

GH0358821MA6N

Beschreibung: CAP CER 820PF 50V X7R NONSTND

Hersteller: AVX Corporation
vorrätig
DM200-01-3-9270-0-LC

DM200-01-3-9270-0-LC

Beschreibung: LASER DIODE 1555NM 1.995MW

Hersteller: Finisar Corporation
vorrätig
015296

015296

Beschreibung: LASER MODULE 660NM 80MW

Hersteller: Excelitas Technologies
vorrätig
MM7805I

MM7805I

Beschreibung: LASER DIODE 780NM 5MW 6.4MM DIA

Hersteller: US-Lasers, Inc.
vorrätig
GH04125A2A

GH04125A2A

Beschreibung: LASER DIODE 406NM 130MW TO18

Hersteller: Sharp Microelectronics
vorrätig
VLM-635-02 LPA

VLM-635-02 LPA

Beschreibung: LASER DIODE 635NM 3MW 10.5MM DIA

Hersteller: Quarton, Inc.
vorrätig
GH0781JA2C

GH0781JA2C

Beschreibung: LASER DIODE 784NM 120MW TO18

Hersteller: Sharp Microelectronics
vorrätig
DM200-01-1-9570-0-LC

DM200-01-1-9570-0-LC

Beschreibung: LASER DIODE 1532NM 1.995MW

Hersteller: Finisar Corporation
vorrätig
SPL 2F94-2S

SPL 2F94-2S

Beschreibung: LASER DIODE 940NM 1.5W TO220

Hersteller: OSRAM Opto Semiconductors, Inc.
vorrätig
GH06510B2A

GH06510B2A

Beschreibung: LASER DIODE 654NM 10MW TO18

Hersteller: Sharp Microelectronics
vorrätig
NX7335AN-AA-AZ

NX7335AN-AA-AZ

Beschreibung: LASER DIODE 1310NM 40MW MODULE

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)
vorrätig
DM80-01-3-8860-3-LC

DM80-01-3-8860-3-LC

Beschreibung: LASER DIODE 1590NM 2.511MW

Hersteller: Finisar Corporation
vorrätig

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