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1956537R1WV6416RSD-5SI#B0-Bild.Renesas Electronics America

R1WV6416RSD-5SI#B0

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    R1WV6416RSD-5SI#B0
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    64M ADV LPSRAM, STACKED, UTSOP,
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    55ns
  • Spannungsversorgung
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    SRAM
  • Supplier Device-Gehäuse
    52-TSOP II
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width)
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    64Mb (8M x 8, 4M x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    SRAM
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    18 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SRAM Memory IC 64Mb (8M x 8, 4M x 16) Parallel 55ns 52-TSOP II
  • Zugriffszeit
    55ns
AT27C010-90JI

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Beschreibung:

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Beschreibung: IC SRAM 32M PARALLEL 48BGA

Hersteller: Renesas Electronics America
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R1WV6416RSA-5SI#S0

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Hersteller: Renesas Electronics America
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R1WV6416RSA-7SR#B0

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Beschreibung: IC SRAM 64M PARALLEL 48TSOP

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R1WV3216RBG-7SR#B0

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Hersteller: Renesas Electronics America
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Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
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R1WV6416RSD-5SI#S0

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Beschreibung: 64M ADV LPSRAM, STACKED, UTSOP,

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