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R1WV6416RBG-5SI#B0

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    R1WV6416RBG-5SI#B0
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    64M MCP(2X32M) ADV.SRAM 3V FBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    55ns
  • Spannungsversorgung
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    SRAM
  • Supplier Device-Gehäuse
    48-TFBGA (8.5x11)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    48-TFBGA
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    64Mb (8M x 8, 4M x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    SRAM
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    18 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SRAM Memory IC 64Mb (8M x 8, 4M x 16) Parallel 55ns 48-TFBGA (8.5x11)
  • Zugriffszeit
    55ns
24LC16B-I/SN

24LC16B-I/SN

Beschreibung:

Hersteller: Micrel / Microchip Technology
vorrätig
MT53D512M32D2NP-046 WT ES:E TR

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Beschreibung: IC DRAM 16G 2133MHZ FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT48LC8M16A2P-6A AIT:L

MT48LC8M16A2P-6A AIT:L

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
IS61VPS102418A-200B3

IS61VPS102418A-200B3

Beschreibung: IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
vorrätig
R1WV6416RSD-5SI#S0

R1WV6416RSD-5SI#S0

Beschreibung: 64M ADV LPSRAM, STACKED, UTSOP,

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
R1WV6416RSA-7SR#B0

R1WV6416RSA-7SR#B0

Beschreibung: IC SRAM 64M PARALLEL 48TSOP

Hersteller: Renesas Electronics America
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R1WV3216RBG-7SI#S0

R1WV3216RBG-7SI#S0

Beschreibung: IC SRAM 32M PARALLEL 48BGA

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
R1WV6416RSD-5SI#B0

R1WV6416RSD-5SI#B0

Beschreibung: 64M ADV LPSRAM, STACKED, UTSOP,

Hersteller: Renesas Electronics America
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71V3556SA166BGI8

71V3556SA166BGI8

Beschreibung: IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
vorrätig
R1WV3216RBG-7SR#B0

R1WV3216RBG-7SR#B0

Beschreibung: IC SRAM 32M PARALLEL 48FBGA

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
R1WV6416RSA-5SI#S0

R1WV6416RSA-5SI#S0

Beschreibung: 64M ADV LPSRAM, STACKED, TSOP, P

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
R1WV6416RSA-5SI#B0

R1WV6416RSA-5SI#B0

Beschreibung: IC SRAM 32MBIT 48TSOP

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
24AA08-I/MS

24AA08-I/MS

Beschreibung: IC EEPROM 8K I2C 400KHZ 8MSOP

Hersteller: Micrel / Microchip Technology
vorrätig
24LC044-I/ST

24LC044-I/ST

Beschreibung: IC EEPROM 4KBIT 1MHZ 8TSSOP

Hersteller: Microchip Technology
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IDT71T75602S200PF8

IDT71T75602S200PF8

Beschreibung: IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
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93C66A-E/SN

93C66A-E/SN

Beschreibung: IC EEPROM 4K SPI 2MHZ 8SOIC

Hersteller: Micrel / Microchip Technology
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R1WV3216RBG-7SI#B0

R1WV3216RBG-7SI#B0

Beschreibung: IC SRAM 32M PARALLEL 48BGA

Hersteller: Renesas Electronics America
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R1WV6416RBG-5SI#S0

R1WV6416RBG-5SI#S0

Beschreibung: 64M MCP(2X32M) ADV.SRAM 3V FBGA

Hersteller: Renesas Electronics America
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AT28C010-12UM/883

AT28C010-12UM/883

Beschreibung: IC EEPROM 1M PARALLEL 30CPGA

Hersteller: Micrel / Microchip Technology
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S34SL04G200BHV000

S34SL04G200BHV000

Beschreibung: IC FLASH 4G PARALLEL

Hersteller: Cypress Semiconductor
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