H7N1002LSTL-E

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Spezifikation

Artikelnummer

H7N1002LSTL-E
Hersteller / Marke

Renesas Electronics Corporation
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 100V LDPAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

H7N1002LSTL-E.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

-
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

4-LDPAK
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

10 mOhm @ 37.5A, 10V
Verlustleistung (max)

100W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SC-83
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

9700pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

155nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 100V 75A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount 4-LDPAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

75A (Ta)

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Wir unterstützen mehrere Zahlungsmethoden, einschließlich Kreditkarten, Kabelübertragungen und andere Optionen, und akzeptieren die meisten Währungen.Für Bestellungen in USD sind zusätzliche Zahlungsoptionen verfügbar.Weitere Informationen zu Zahlungsmethoden und -verfahren erhalten Sie von unserem Verkaufsteam.

Das Folgende sind "H7N1002LSTL-E" -Einziper.

CTLDM7003-M621 TR

Beschreibung: MOSFET N-CH 50V DFN6

Hersteller: Central Semiconductor

vorrätig

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