CSD25211W1015

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Spezifikation

Artikelnummer

CSD25211W1015
Hersteller / Marke

Luminary Micro/Texas Instruments
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA
Vgs (Max)

-6V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

6-DSBGA (1x1.5)
Serie

NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

33 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Verlustleistung (max)

1W (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

6-UFBGA, DSBGA
Andere Namen

296-36578-2
CSD25211W1015-ND
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

570pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.1nC @ 4.5V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 20V 3.2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 6-DSBGA (1x1.5)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

3.2A (Ta)

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Das Folgende sind "CSD25211W1015" -Einziper.

CSD25304W1015T

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA

Hersteller: Luminary Micro / Texas Instruments

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