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BAV70

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    BAV70
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.25V @ 150mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    80V
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-23-3
  • Geschwindigkeit
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Andere Namen
    BAV70PSTR
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    150°C (Max)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • Diodenkonfiguration
    1 Pair Common Cathode
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 80V 200mA (DC) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    100nA @ 80V
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    200mA (DC)
  • Basisteilenummer
    BAV70

Überblick

BAV70 Überblick

BAV70 Schaltdiode |Futuretech-Komponenten


Die BAV70 ist eine Hochgeschwindigkeits-Schaltdiode von Nexperia, die für Signalverarbeitung und Hochfrequenz-Schaltanwendungen entwickelt wurde.Diese bei Futuretech Components erhältliche Doppeldiode bietet zuverlässige Leistung und konsistente Beschaffung für eine Vielzahl elektronischer Designs.


BAV70-FAQ

Was ist BAV70?

Die BAV70 ist eine duale Hochgeschwindigkeits-Schaltdiode von Nexperia, integriert in einem einzigen SOT-23-Gehäuse.Jede Diode ist in Reihe geschaltet, was sie ideal für den Einsatz in Signalklemm-, Pegelverschiebungs- und Kleinsignalschaltanwendungen macht.Mit seiner schnellen Erholungszeit und der geringen Kapazität gewährleistet der BAV70 eine optimale Signalintegrität in Hochgeschwindigkeitsschaltungen.

Wie funktioniert BAV70?

Der BAV70 arbeitet als schnell schaltendes Diodenpaar, das Strom leitet, wenn er in Vorwärtsrichtung vorgespannt ist, und den Strom sperrt, wenn er in Sperrrichtung vorgespannt ist.Seine geringe Sperrverzögerungszeit (typischerweise etwa 6 ns) ermöglicht eine schnelle Reaktion in digitalen und HF-Schaltkreisen, während seine kleine Sperrschichtkapazität einen stabilen Betrieb in Hochfrequenzumgebungen unterstützt.


Welches Gehäuse und welche Pin-Konfiguration hat BAV70?

Der BAV70 ist im SOT-23-Gehäuse untergebracht und enthält drei Pins:
Pin 1 (Anode 1)
Pin 2 (gemeinsame Kathode)
Pin 3 (Anode 2)
Diese Konfiguration ermöglicht je nach Schaltungsdesign einen flexiblen Einsatz in differenziellen Signalpfaden oder Schutznetzwerken.

Was sind die Vorteile und Einschränkungen von BAV70?

Vorteile:
Schnelle Schaltgeschwindigkeit (trr ≈ 6 ns)
Niedriger Sperrstrom und niedrige Sperrschichtkapazität (≈ 1,5 pF)
Kompaktes SOT-23-Gehäuse, geeignet für PCB-Layouts mit hoher Dichte
Zuverlässige Leistung in analogen und digitalen Schaltkreisen
Hohe Sperrspannungsfähigkeit (VR = 70 V)

Nachteile:
Begrenzte Stromverarbeitung (max. IF ≈ 200 mA)
Nicht geeignet für Leistungsgleichrichtung oder Hochstromschaltung
Bei unsachgemäßer Handhabung kann die Leistung unter Hochtemperaturbedingungen variieren

Welche Alternativen gibt es zu BAV70?

Zu den gleichwertigen oder alternativen Optionen gehören:
BAV99 (Nexperia / Diodes Inc.)
MMBD7000 (ON Semiconductor)
1N4148WS (Dioden Inc.)
BAS16 (Nexperia)
Diese Dioden bieten ähnliche Schnellschalteigenschaften und Gehäusekompatibilität und bieten so Flexibilität für Design-Ersetzungen.

Was sind die häufigsten Anwendungen von BAV70?

Der BAV70 wird häufig in Signalschalt-, Klemm-, Hochgeschwindigkeits-Datenleitungen, HF-Schaltkreisen und Kommunikationsmodulen verwendet.Sein kompakter Formfaktor und seine schnelle Schaltleistung machen ihn zur bevorzugten Wahl für Unterhaltungselektronik, Industriesysteme und Kommunikationsgeräte.

Abschluss

Verifizierte und authentische Nexperia BAV70-Dioden erhalten Sie direkt von Futuretech Components – Ihrem vertrauenswürdigen Händler für hochwertige elektronische Komponenten mit globaler Lieferzuverlässigkeit.Futuretech Components bietet schnelle Lieferung und zuverlässigen Service in ganz Asien, Europa und Nordamerika.

BAV70 Überblick

BAV70 Schaltdiode |Futuretech-Komponenten


Die BAV70 ist eine Hochgeschwindigkeits-Schaltdiode von Nexperia, die für Signalverarbeitung und Hochfrequenz-Schaltanwendungen entwickelt wurde.Diese bei Futuretech Components erhältliche Doppeldiode bietet zuverlässige Leistung und konsistente Beschaffung für eine Vielzahl elektronischer Designs.


BAV70-FAQ

Was ist BAV70?

Die BAV70 ist eine duale Hochgeschwindigkeits-Schaltdiode von Nexperia, integriert in einem einzigen SOT-23-Gehäuse.Jede Diode ist in Reihe geschaltet, was sie ideal für den Einsatz in Signalklemm-, Pegelverschiebungs- und Kleinsignalschaltanwendungen macht.Mit seiner schnellen Erholungszeit und der geringen Kapazität gewährleistet der BAV70 eine optimale Signalintegrität in Hochgeschwindigkeitsschaltungen.

Wie funktioniert BAV70?

Der BAV70 arbeitet als schnell schaltendes Diodenpaar, das Strom leitet, wenn er in Vorwärtsrichtung vorgespannt ist, und den Strom sperrt, wenn er in Sperrrichtung vorgespannt ist.Seine geringe Sperrverzögerungszeit (typischerweise etwa 6 ns) ermöglicht eine schnelle Reaktion in digitalen und HF-Schaltkreisen, während seine kleine Sperrschichtkapazität einen stabilen Betrieb in Hochfrequenzumgebungen unterstützt.


Welches Gehäuse und welche Pin-Konfiguration hat BAV70?

Der BAV70 ist im SOT-23-Gehäuse untergebracht und enthält drei Pins:
Pin 1 (Anode 1)
Pin 2 (gemeinsame Kathode)
Pin 3 (Anode 2)
Diese Konfiguration ermöglicht je nach Schaltungsdesign einen flexiblen Einsatz in differenziellen Signalpfaden oder Schutznetzwerken.

Was sind die Vorteile und Einschränkungen von BAV70?

Vorteile:
Schnelle Schaltgeschwindigkeit (trr ≈ 6 ns)
Niedriger Sperrstrom und niedrige Sperrschichtkapazität (≈ 1,5 pF)
Kompaktes SOT-23-Gehäuse, geeignet für PCB-Layouts mit hoher Dichte
Zuverlässige Leistung in analogen und digitalen Schaltkreisen
Hohe Sperrspannungsfähigkeit (VR = 70 V)

Nachteile:
Begrenzte Stromverarbeitung (max. IF ≈ 200 mA)
Nicht geeignet für Leistungsgleichrichtung oder Hochstromschaltung
Bei unsachgemäßer Handhabung kann die Leistung unter Hochtemperaturbedingungen variieren

Welche Alternativen gibt es zu BAV70?

Zu den gleichwertigen oder alternativen Optionen gehören:
BAV99 (Nexperia / Diodes Inc.)
MMBD7000 (ON Semiconductor)
1N4148WS (Dioden Inc.)
BAS16 (Nexperia)
Diese Dioden bieten ähnliche Schnellschalteigenschaften und Gehäusekompatibilität und bieten so Flexibilität für Design-Ersetzungen.

Was sind die häufigsten Anwendungen von BAV70?

Der BAV70 wird häufig in Signalschalt-, Klemm-, Hochgeschwindigkeits-Datenleitungen, HF-Schaltkreisen und Kommunikationsmodulen verwendet.Sein kompakter Formfaktor und seine schnelle Schaltleistung machen ihn zur bevorzugten Wahl für Unterhaltungselektronik, Industriesysteme und Kommunikationsgeräte.

Abschluss

Verifizierte und authentische Nexperia BAV70-Dioden erhalten Sie direkt von Futuretech Components – Ihrem vertrauenswürdigen Händler für hochwertige elektronische Komponenten mit globaler Lieferzuverlässigkeit.Futuretech Components bietet schnelle Lieferung und zuverlässigen Service in ganz Asien, Europa und Nordamerika.
BAV302-TR3

BAV302-TR3

Beschreibung: DIODE GP 150V 250MA MICROMELF

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
BAV70,LM

BAV70,LM

Beschreibung: X34 PB-F SWITCHING DIODE SOT23

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
BAV5004LP-7B

BAV5004LP-7B

Beschreibung: DIODE GEN PURP 350V 300MA 2DFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
BAV303-TR

BAV303-TR

Beschreibung: DIODE GP 200V 250MA MICROMELF

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
BAV70,215

BAV70,215

Beschreibung: DIODE ARR GP 100V 215MA TO-236AB

Hersteller: Nexperia
vorrätig
BAV302-TR

BAV302-TR

Beschreibung:

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
BAV301-TR

BAV301-TR

Beschreibung: DIODE GP 100V 250MA MICROMELF

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
BAV70-E3-08

BAV70-E3-08

Beschreibung:

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
BAV45

BAV45

Beschreibung: DIODE GEN PURP 20V 50MA TO18

Hersteller: Central Semiconductor Corp
vorrätig
BAV70,235

BAV70,235

Beschreibung:

Hersteller: Nexperia
vorrätig
BAV70 RFG

BAV70 RFG

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 70V 200MA SOT23

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
BAV70-E3-18

BAV70-E3-18

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 70V 125MA SOT23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
BAV301-TR3

BAV301-TR3

Beschreibung: DIODE GP 100V 250MA MICROMELF

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
BAV303-TR3

BAV303-TR3

Beschreibung: DIODE GP 200V 250MA MICROMELF

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
BAV5005LP-7B

BAV5005LP-7B

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 300MA 2DFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
BAV70-7-F

BAV70-7-F

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
BAV5004WS-7

BAV5004WS-7

Beschreibung: DIODE GP 350V 300MA SOD323

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
BAV70-7

BAV70-7

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 75V 150MA SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
BAV70

BAV70

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 70V 200MA SOT23-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
BAV70-G3-08

BAV70-G3-08

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 70V 250MA SOT23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig

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