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BAV70,215

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    BAV70,215
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    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.25V @ 150mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    100V
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-236AB (SOT23)
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    4ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Andere Namen
    1727-2912-2
    568-1622-2
    568-1622-2-ND
    933184910215
    BAV70 T/R
    BAV70215
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    150°C (Max)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • Diodenkonfiguration
    1 Pair Common Cathode
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 100V 215mA (DC) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    500nA @ 80V
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    215mA (DC)
  • Basisteilenummer
    BAV70

Überblick

BAV70,215 Überblick

BAV70,215 Doppeldiode |Futuretech-Komponenten


Die BAV70.215 ist eine duale Hochgeschwindigkeits-Schaltdiode von Nexperia mit zwei Dioden in einer gemeinsamen Kathodenkonfiguration.Es ist für seine schnelle Schaltgeschwindigkeit, seinen geringen Leckstrom und seine hervorragende Zuverlässigkeit bekannt und eignet sich ideal für die Signalverarbeitung und Hochfrequenzanwendungen.Es ist bei Futuretech Components erhältlich und gewährleistet eine gleichbleibende Qualität und eine rückverfolgbare Beschaffung.


BAV70,215 FAQ

Was ist BAV70.215?

Die BAV70.215 ist eine von Nexperia entwickelte Doppelschaltdiode.Es enthält zwei Dioden, die in einer gemeinsamen Kathodenkonfiguration verbunden sind und sich für schnelles Schalten und allgemeine Signalverarbeitung eignen.Im oberflächenmontierbaren SOT-23-Gehäuse bietet es eine kompakte Größe und stabile Leistung bei Temperaturschwankungen.

Wie funktioniert BAV70.215?

Der BAV70.215 funktioniert, indem er bei Vorwärtsspannung den Stromfluss durch seine beiden Dioden zulässt und gleichzeitig den Rückstrom blockiert.Mit einer Sperrverzögerungszeit von typischerweise 6 ns unterstützt es Hochfrequenz- und Impulsschaltkreise.Aufgrund seiner geringen Kapazität und seines geringen Leckstroms eignet es sich ideal für den Schutz und die Konditionierung digitaler und analoger Signalleitungen.


Welche Gehäuse- und Pin-Konfiguration hat BAV70.215?

Der BAV70.215 ist im kompakten SOT-23-Gehäuse mit drei Pins untergebracht:
Pin 1 – Anode von Diode 1
Pin 2 – Anode von Diode 2
Pin 3 – Gemeinsame Kathode
Diese Konfiguration ermöglicht eine effiziente Leiterplattenführung für zwei Signalleitungen oder Schutzschaltungen in kompakten elektronischen Systemen.

Was sind die Vorteile und Einschränkungen von BAV70.215?

Vorteile:
• Schnelle Schaltzeit (typ. 6 ns) geeignet für schnelle Signalverarbeitung
• Niedriger Leckstrom (typ. 2 nA bei 25°C)
• Kompaktes SOT-23-Gehäuse für platzsparende Designs
• Geringe Kapazität für minimale Signalverzerrung
• Hohe Zuverlässigkeit und stabiler Betrieb über einen weiten Temperaturbereich (–65 °C bis +150 °C)

Nachteile:
• Begrenzt auf Anwendungen mit geringem Strom (max. 200 mA)
• Nicht für Hochspannungs- oder Leistungsgleichrichtungsanwendungen geeignet

Welche Alternativen gibt es zu BAV70.215?

Mögliche alternative oder gleichwertige Teile sind:
• BAV99 (Nexperia)
• 1N4148WS (ON Semiconductor)
• MMBD4148 (Diodes Inc.)
• BAS70-04 (Infineon)
Diese Dioden bieten ähnliche Schalteigenschaften und Gehäuseoptionen und ermöglichen so Flexibilität über mehrere Anbieter hinweg.

Was sind die häufigsten Anwendungen von BAV70.215?

Der BAV70.215 wird häufig in Hochgeschwindigkeitsschalt-, Signalklemm-, Pegelverschiebungs- und Logikschutzschaltungen verwendet.Es wird häufig in Kommunikationsgeräten, Instrumenten, Datenerfassungssystemen und Unterhaltungselektronik eingesetzt.Seine duale Konfiguration und die geringen parasitären Eigenschaften machen es zur idealen Wahl für kompakte PCB-Designs mit hoher Dichte.

Abschluss

Verifizierte und authentische BAV70.215-Dioden erhalten Sie direkt von Futuretech Components – Ihrem vertrauenswürdigen Händler für hochwertige Nexperia-Komponenten und elektronische Teile.Futuretech Components bietet zuverlässige globale Versorgung und schnelle Lieferung in ganz Asien, Europa und Nordamerika.

BAV70,215 Überblick

BAV70,215 Doppeldiode |Futuretech-Komponenten


Die BAV70.215 ist eine duale Hochgeschwindigkeits-Schaltdiode von Nexperia mit zwei Dioden in einer gemeinsamen Kathodenkonfiguration.Es ist für seine schnelle Schaltgeschwindigkeit, seinen geringen Leckstrom und seine hervorragende Zuverlässigkeit bekannt und eignet sich ideal für die Signalverarbeitung und Hochfrequenzanwendungen.Es ist bei Futuretech Components erhältlich und gewährleistet eine gleichbleibende Qualität und eine rückverfolgbare Beschaffung.


BAV70,215 FAQ

Was ist BAV70.215?

Die BAV70.215 ist eine von Nexperia entwickelte Doppelschaltdiode.Es enthält zwei Dioden, die in einer gemeinsamen Kathodenkonfiguration verbunden sind und sich für schnelles Schalten und allgemeine Signalverarbeitung eignen.Im oberflächenmontierbaren SOT-23-Gehäuse bietet es eine kompakte Größe und stabile Leistung bei Temperaturschwankungen.

Wie funktioniert BAV70.215?

Der BAV70.215 funktioniert, indem er bei Vorwärtsspannung den Stromfluss durch seine beiden Dioden zulässt und gleichzeitig den Rückstrom blockiert.Mit einer Sperrverzögerungszeit von typischerweise 6 ns unterstützt es Hochfrequenz- und Impulsschaltkreise.Aufgrund seiner geringen Kapazität und seines geringen Leckstroms eignet es sich ideal für den Schutz und die Konditionierung digitaler und analoger Signalleitungen.


Welche Gehäuse- und Pin-Konfiguration hat BAV70.215?

Der BAV70.215 ist im kompakten SOT-23-Gehäuse mit drei Pins untergebracht:
Pin 1 – Anode von Diode 1
Pin 2 – Anode von Diode 2
Pin 3 – Gemeinsame Kathode
Diese Konfiguration ermöglicht eine effiziente Leiterplattenführung für zwei Signalleitungen oder Schutzschaltungen in kompakten elektronischen Systemen.

Was sind die Vorteile und Einschränkungen von BAV70.215?

Vorteile:
• Schnelle Schaltzeit (typ. 6 ns) geeignet für schnelle Signalverarbeitung
• Niedriger Leckstrom (typ. 2 nA bei 25°C)
• Kompaktes SOT-23-Gehäuse für platzsparende Designs
• Geringe Kapazität für minimale Signalverzerrung
• Hohe Zuverlässigkeit und stabiler Betrieb über einen weiten Temperaturbereich (–65 °C bis +150 °C)

Nachteile:
• Begrenzt auf Anwendungen mit geringem Strom (max. 200 mA)
• Nicht für Hochspannungs- oder Leistungsgleichrichtungsanwendungen geeignet

Welche Alternativen gibt es zu BAV70.215?

Mögliche alternative oder gleichwertige Teile sind:
• BAV99 (Nexperia)
• 1N4148WS (ON Semiconductor)
• MMBD4148 (Diodes Inc.)
• BAS70-04 (Infineon)
Diese Dioden bieten ähnliche Schalteigenschaften und Gehäuseoptionen und ermöglichen so Flexibilität über mehrere Anbieter hinweg.

Was sind die häufigsten Anwendungen von BAV70.215?

Der BAV70.215 wird häufig in Hochgeschwindigkeitsschalt-, Signalklemm-, Pegelverschiebungs- und Logikschutzschaltungen verwendet.Es wird häufig in Kommunikationsgeräten, Instrumenten, Datenerfassungssystemen und Unterhaltungselektronik eingesetzt.Seine duale Konfiguration und die geringen parasitären Eigenschaften machen es zur idealen Wahl für kompakte PCB-Designs mit hoher Dichte.

Abschluss

Verifizierte und authentische BAV70.215-Dioden erhalten Sie direkt von Futuretech Components – Ihrem vertrauenswürdigen Händler für hochwertige Nexperia-Komponenten und elektronische Teile.Futuretech Components bietet zuverlässige globale Versorgung und schnelle Lieferung in ganz Asien, Europa und Nordamerika.
BAV70 RFG

BAV70 RFG

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 70V 200MA SOT23

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
BAV70-7

BAV70-7

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 75V 150MA SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
BAV70-HE3-08

BAV70-HE3-08

Beschreibung:

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
BAV5004LP-7B

BAV5004LP-7B

Beschreibung: DIODE GEN PURP 350V 300MA 2DFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
BAV70,235

BAV70,235

Beschreibung:

Hersteller: Nexperia
vorrätig
BAV5004WS-7

BAV5004WS-7

Beschreibung: DIODE GP 350V 300MA SOD323

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
BAV5005LP-7B

BAV5005LP-7B

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 300MA 2DFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
BAV45

BAV45

Beschreibung: DIODE GEN PURP 20V 50MA TO18

Hersteller: Central Semiconductor Corp
vorrätig
BAV303-TR3

BAV303-TR3

Beschreibung: DIODE GP 200V 250MA MICROMELF

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
BAV70

BAV70

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 70V 200MA SOT23-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
BAV70-E3-18

BAV70-E3-18

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 70V 125MA SOT23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
BAV302-TR3

BAV302-TR3

Beschreibung: DIODE GP 150V 250MA MICROMELF

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
BAV70-G3-18

BAV70-G3-18

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 70V 250MA SOT23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
BAV70

BAV70

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 75V 150MA SOT23-3

Hersteller: Nexperia
vorrätig
BAV303-TR

BAV303-TR

Beschreibung: DIODE GP 200V 250MA MICROMELF

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
BAV70-G3-08

BAV70-G3-08

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 70V 250MA SOT23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
BAV70-7-F

BAV70-7-F

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
BAV70,LM

BAV70,LM

Beschreibung: X34 PB-F SWITCHING DIODE SOT23

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
BAV70-E3-08

BAV70-E3-08

Beschreibung:

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
BAV70-HE3-18

BAV70-HE3-18

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 70V 250MA SOT23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig

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