PSMN5R2-60YLX

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Spezifikation

Artikelnummer

PSMN5R2-60YLX
Hersteller / Marke

Nexperia
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 60V LFPAK56
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

PSMN5R2-60YLX.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.1V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

LFPAK56, Power-SO8
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.2 mOhm @ 25A, 10V
Verlustleistung (max)

195W (Tc)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
Andere Namen

1727-2595-1
568-13046-1
568-13046-1-ND
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6319pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

39.4nC @ 5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 60V 100A (Tc) 195W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

100A (Tc)

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2024/10/9

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Das Folgende sind "PSMN5R2-60YLX" -Einziper.

PSMN5R6-100BS,118

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK

Hersteller: Nexperia

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