PSMN5R8-30LL,115

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Spezifikation

Artikelnummer

PSMN5R8-30LL,115
Hersteller / Marke

Freescale / NXP Semiconductors
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V QFN3333
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.15V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-DFN3333 (3.3x3.3)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.8 mOhm @ 10A, 10V
Verlustleistung (max)

55W (Tc)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

8-VDFN Exposed Pad
Andere Namen

568-5593-1
PSMN5R830LL115
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1316pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 40A (Tc) 55W (Tc) Surface Mount 8-DFN3333 (3.3x3.3)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

40A (Tc)

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Das Folgende sind "PSMN5R8-30LL,115" -Einziper.

PSMN5R9-30YL,115

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 78A LFPAK

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale

vorrätig

PSMN5R8-30LL,115

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