PSMN4R2-30MLDX

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Spezifikation

Artikelnummer

PSMN4R2-30MLDX
Hersteller / Marke

Nexperia
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

PSMN4R2-30MLDX.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.2V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

LFPAK33
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.3 mOhm @ 25A, 10V
Verlustleistung (max)

65W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Andere Namen

1727-1793-2
568-11376-2
568-11376-2-ND
934067971115
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1795pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

29.3nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

Schottky Diode (Body)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 70A (Tc) 65W (Tc) Surface Mount LFPAK33
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

70A (Tc)

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Das Folgende sind "PSMN4R2-30MLDX" -Einziper.

PSMN4R0-30YL,115

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK

Hersteller: Nexperia

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