PSMN4R0-40YS,115

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Spezifikation

Artikelnummer

PSMN4R0-40YS,115
Hersteller / Marke

Nexperia
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

PSMN4R0-40YS,115.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

LFPAK56, Power-SO8
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.2 mOhm @ 15A, 10V
Verlustleistung (max)

106W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
Andere Namen

1727-4273-2
568-4905-2
568-4905-2-ND
934063937115
PSMN4R040YS115
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2410pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

40V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 40V 100A (Tc) 106W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

100A (Tc)

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2024/10/9

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Das Folgende sind "PSMN4R0-40YS,115" -Einziper.

PSMN4R1-30YLC,115

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 90A LFPAK

Hersteller: Nexperia USA Inc.

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