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PMGD175XNEX

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    PMGD175XNEX
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET 2 N-CH 30V 870MA 6TSSOP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.25V @ 250µA
  • Supplier Device-Gehäuse
    6-TSSOP
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    252 mOhm @ 900mA, 4.5V
  • Leistung - max
    260mW (Ta)
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Andere Namen
    1727-2695-1
    568-13214-1
    568-13214-1-ND
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    81pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    1.65nC @ 4.5V
  • Typ FET
    2 N-Channel (Dual)
  • FET-Merkmal
    Standard
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 870mA (Ta) 260mW (Ta) Surface Mount 6-TSSOP
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    870mA (Ta)

Überblick

PMGD175XNEX Überblick

PMGD175XNEX Leistungs-MOSFET |Futuretech-Komponenten


Der PMGD175XNEX ist ein Hochleistungs-Leistungs-MOSFET von Nexperia, der häufig in Automobil-, Industrie- und Unterhaltungselektronikanwendungen eingesetzt wird.Es ist bei Futuretech Components erhältlich und gewährleistet eine zuverlässige Beschaffung und gleichbleibende Qualität.


PMGD175XNEX-FAQ

Was ist PMGD175XNEX?

Der PMGD175XNEX ist ein hocheffizienter Leistungs-MOSFET von Nexperia.Er zeichnet sich durch einen niedrigen Einschaltwiderstand, eine hohe Strombelastbarkeit und eine schnelle Schaltleistung aus und eignet sich daher ideal für Schalt-, Motorsteuerungs- und Energiemanagementanwendungen.

Wie funktioniert PMGD175XNEX?

Der PMGD175XNEX MOSFET arbeitet als spannungsgesteuerter Schalter.Wenn eine Gate-Spannung angelegt wird, ermöglicht sie den Stromfluss zwischen Drain und Source mit minimalem Widerstand.Sein niedriger Rds(on) sorgt für einen hohen Wirkungsgrad, während schnelles Schalten den Energieverlust bei Hochfrequenzanwendungen minimiert.


Welches Gehäuse und welche Pin-Konfiguration hat der PMGD175XNEX?

Der PMGD175XNEX wird in einem kompakten SOT-223-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert.Seine drei Hauptstifte sind:
Gate – Steuert das Umschalten
Drain – Stromausgang
Quelle – Aktueller Eingang und Referenz
Das Paket gewährleistet eine effiziente Wärmeableitung und zuverlässige Leistung in Hochleistungsdesigns.

Was sind die Vorteile und Einschränkungen von PMGD175XNEX?

Vorteile:
Hohe Strombelastbarkeit und niedriger Einschaltwiderstand für effizientes Schalten
Schnelle Schaltgeschwindigkeiten, geeignet für Hochfrequenzanwendungen
Robuste thermische Leistung mit SOT-223-Gehäuse
Zuverlässiger Betrieb in Automobil- und Industrieumgebungen

Nachteile:
Beschränkt auf Spannungs- und Stromwerte;ungeeignet für Belastungen oberhalb der angegebenen Höchstwerte
Um eine optimale Leistung zu erzielen, ist ein ordnungsgemäßes Gate-Antriebsdesign erforderlich

Welche Alternativen gibt es zu PMGD175XNEX?

Zu den möglichen gleichwertigen oder alternativen Optionen gehören:
IPD175N15N (Infineon)
STP175N10 (STMicroelectronics)
IRFZ44N (ON Semiconductor)
Diese MOSFETs bieten ähnliche Spannungs- und Stromwerte und ermöglichen so Designflexibilität bei verschiedenen Anbietern.

Was sind die häufigsten Anwendungen von PMGD175XNEX?

Der PMGD175XNEX wird häufig in Motorsteuerkreisen, Energiemanagementmodulen, Automobilelektronik und Verbrauchergeräten eingesetzt, bei denen effizientes Schalten und geringe Leitungsverluste von entscheidender Bedeutung sind.Seine Kombination aus schnellem Schalten, niedrigem Rds(on) und kompaktem Gehäuse macht ihn ideal für Industrie- und Automobildesigns.

Abschluss

Verifizierte und authentische PMGD175XNEX-MOSFETs erhalten Sie direkt von Futuretech Components – Ihrem vertrauenswürdigen Distributor hochwertiger elektronischer Komponenten mit globaler Lieferzuverlässigkeit.Futuretech Components bietet eine schnelle Lieferung in ganz Südostasien, Europa und Nordamerika.

PMGD175XNEX Überblick

PMGD175XNEX Leistungs-MOSFET |Futuretech-Komponenten


Der PMGD175XNEX ist ein Hochleistungs-Leistungs-MOSFET von Nexperia, der häufig in Automobil-, Industrie- und Unterhaltungselektronikanwendungen eingesetzt wird.Es ist bei Futuretech Components erhältlich und gewährleistet eine zuverlässige Beschaffung und gleichbleibende Qualität.


PMGD175XNEX-FAQ

Was ist PMGD175XNEX?

Der PMGD175XNEX ist ein hocheffizienter Leistungs-MOSFET von Nexperia.Er zeichnet sich durch einen niedrigen Einschaltwiderstand, eine hohe Strombelastbarkeit und eine schnelle Schaltleistung aus und eignet sich daher ideal für Schalt-, Motorsteuerungs- und Energiemanagementanwendungen.

Wie funktioniert PMGD175XNEX?

Der PMGD175XNEX MOSFET arbeitet als spannungsgesteuerter Schalter.Wenn eine Gate-Spannung angelegt wird, ermöglicht sie den Stromfluss zwischen Drain und Source mit minimalem Widerstand.Sein niedriger Rds(on) sorgt für einen hohen Wirkungsgrad, während schnelles Schalten den Energieverlust bei Hochfrequenzanwendungen minimiert.


Welches Gehäuse und welche Pin-Konfiguration hat der PMGD175XNEX?

Der PMGD175XNEX wird in einem kompakten SOT-223-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert.Seine drei Hauptstifte sind:
Gate – Steuert das Umschalten
Drain – Stromausgang
Quelle – Aktueller Eingang und Referenz
Das Paket gewährleistet eine effiziente Wärmeableitung und zuverlässige Leistung in Hochleistungsdesigns.

Was sind die Vorteile und Einschränkungen von PMGD175XNEX?

Vorteile:
Hohe Strombelastbarkeit und niedriger Einschaltwiderstand für effizientes Schalten
Schnelle Schaltgeschwindigkeiten, geeignet für Hochfrequenzanwendungen
Robuste thermische Leistung mit SOT-223-Gehäuse
Zuverlässiger Betrieb in Automobil- und Industrieumgebungen

Nachteile:
Beschränkt auf Spannungs- und Stromwerte;ungeeignet für Belastungen oberhalb der angegebenen Höchstwerte
Um eine optimale Leistung zu erzielen, ist ein ordnungsgemäßes Gate-Antriebsdesign erforderlich

Welche Alternativen gibt es zu PMGD175XNEX?

Zu den möglichen gleichwertigen oder alternativen Optionen gehören:
IPD175N15N (Infineon)
STP175N10 (STMicroelectronics)
IRFZ44N (ON Semiconductor)
Diese MOSFETs bieten ähnliche Spannungs- und Stromwerte und ermöglichen so Designflexibilität bei verschiedenen Anbietern.

Was sind die häufigsten Anwendungen von PMGD175XNEX?

Der PMGD175XNEX wird häufig in Motorsteuerkreisen, Energiemanagementmodulen, Automobilelektronik und Verbrauchergeräten eingesetzt, bei denen effizientes Schalten und geringe Leitungsverluste von entscheidender Bedeutung sind.Seine Kombination aus schnellem Schalten, niedrigem Rds(on) und kompaktem Gehäuse macht ihn ideal für Industrie- und Automobildesigns.

Abschluss

Verifizierte und authentische PMGD175XNEX-MOSFETs erhalten Sie direkt von Futuretech Components – Ihrem vertrauenswürdigen Distributor hochwertiger elektronischer Komponenten mit globaler Lieferzuverlässigkeit.Futuretech Components bietet eine schnelle Lieferung in ganz Südostasien, Europa und Nordamerika.
PMG.M0.2GL.LG

PMG.M0.2GL.LG

Beschreibung: CONN RCPT FMALE 2POS SOLDER CUP

Hersteller: LEMO
vorrätig
PMGD780SN,115

PMGD780SN,115

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 0.49A 6TSSOP

Hersteller: Nexperia
vorrätig
PMGD290UCEAX

PMGD290UCEAX

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 20V 6TSSOP

Hersteller: Nexperia
vorrätig
PMGD400UN,115

PMGD400UN,115

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 0.71A 6TSSOP

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
PMG.M0.4GL.LG

PMG.M0.4GL.LG

Beschreibung: CONN RCPT FMALE 4POS SOLDER CUP

Hersteller: LEMO
vorrätig
PMGD290XN,115

PMGD290XN,115

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP

Hersteller: Nexperia
vorrätig
PMGD175XNEAX

PMGD175XNEAX

Beschreibung: MOSFET 2 N-CH 30V 900MA SOT363

Hersteller: Nexperia
vorrätig
PMG85XP,115

PMG85XP,115

Beschreibung:

Hersteller: Nexperia
vorrätig
PMG45UN,115

PMG45UN,115

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 3A SOT363

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
PMG85XPH

PMG85XPH

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 2A SOT363

Hersteller: Nexperia
vorrätig
ECH8619-TL-E

ECH8619-TL-E

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A ECH8

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
PMG370XN,115

PMG370XN,115

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 0.96A 6TSSOP

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
PMGD130UN,115

PMGD130UN,115

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 1.2A 6TSSOP

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
NDC7002N_SB9G007

NDC7002N_SB9G007

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 50V 0.51A 6-SSOT

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
PMGD370XN,115

PMGD370XN,115

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 0.74A 6TSSOP

Hersteller: Nexperia
vorrätig
PMG.M0.4SL.LG

PMG.M0.4SL.LG

Beschreibung: CONN RCPT FMALE 4POS SOLDER CUP

Hersteller: LEMO
vorrätig
PMGD175XN,115

PMGD175XN,115

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 0.9A 6TSSOP

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
PMGD8000LN,115

PMGD8000LN,115

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
PMGD280UN,115

PMGD280UN,115

Beschreibung:

Hersteller: Nexperia
vorrätig
PMG.M0.4GL.LA

PMG.M0.4GL.LA

Beschreibung: CONN RCPT FMALE 4POS SOLDER CUP

Hersteller: LEMO
vorrätig

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