PMGD175XNEAX

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Spezifikation

Artikelnummer

PMGD175XNEAX
Hersteller / Marke

Nexperia
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2 N-CH 30V 900MA SOT363
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

PMGD175XNEAX.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1.25V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

SOT-363
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

252 mOhm @ 900mA, 4.5V
Leistung - max

390mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Andere Namen

934070692115
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

81pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.65nC @ 4.5V
Typ FET

2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 900mA (Ta) 390mW Surface Mount SOT-363
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

900mA (Ta)

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Das Folgende sind "PMGD175XNEAX" -Einziper.

PMG45UN,115

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 3A SOT363

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale

vorrätig

PMGD175XNEAX

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