PHB32N06LT,118

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Spezifikation

Artikelnummer

PHB32N06LT,118
Hersteller / Marke

Nexperia
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

PHB32N06LT,118.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA
Vgs (Max)

±15V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

D2PAK
Serie

TrenchMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

37 mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (max)

97W (Tc)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen

1727-4764-1
568-5941-1
568-5941-1-ND
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1280pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 60V 34A (Tc) 97W (Tc) Surface Mount D2PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

34A (Tc)

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2024/10/9

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Wir unterstützen mehrere Zahlungsmethoden, einschließlich Kreditkarten, Kabelübertragungen und andere Optionen, und akzeptieren die meisten Währungen.Für Bestellungen in USD sind zusätzliche Zahlungsoptionen verfügbar.Weitere Informationen zu Zahlungsmethoden und -verfahren erhalten Sie von unserem Verkaufsteam.

Das Folgende sind "PHB32N06LT,118" -Einziper.

PHB73N06T,118

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 73A D2PAK

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale

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