PHB38N02LT,118

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Spezifikation

Artikelnummer

PHB38N02LT,118
Hersteller / Marke

Freescale / NXP Semiconductors
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 20V 44.7A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

PHB38N02LT,118.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA
Vgs (Max)

12V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

D2PAK
Serie

TrenchMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

16 mOhm @ 25A, 5V
Verlustleistung (max)

57.6W (Tc)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen

568-2191-1
PHB38N02LT118
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

800pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15.1nC @ 5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 20V 44.7A (Tc) 57.6W (Tc) Surface Mount D2PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

44.7A (Tc)

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Das Folgende sind "PHB38N02LT,118" -Einziper.

PHB78NQ03LT,118

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 40A D2PAK

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale

vorrätig

PHB38N02LT,118

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