PBLS2003D,115

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Spezifikation

Artikelnummer

PBLS2003D,115
Hersteller / Marke

Nexperia
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

PBLS2003D,115.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V, 20V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 10mA / 280mV @ 100mA, 1A
Transistor-Typ

1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Supplier Device-Gehäuse

6-TSOP
Serie

-
Widerstand - Emitterbasis (R2)

10 kOhms
Widerstand - Basis (R1)

10 kOhms
Leistung - max

600mW
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

SC-74, SOT-457
Andere Namen

1727-5692-1
568-7230-1
568-7230-1-ND
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

185MHz
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 20V 100mA, 1A 185MHz 600mW Surface Mount 6-TSOP
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

30 @ 5mA, 5V / 220 @ 500mA, 2V
Strom - Collector Cutoff (Max)

1µA, 100nA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA, 1A
Basisteilenummer

PBLS2003

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2024/10/9

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Das Folgende sind "PBLS2003D,115" -Einziper.

PBLS1503V,115

Beschreibung: TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale

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