PBLS2002S,115

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Spezifikation

Artikelnummer

PBLS2002S,115
Hersteller / Marke

Freescale / NXP Semiconductors
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS NPN PREBIAS/PNP 1.5W 8SO
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V, 20V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 10mA / 355mV @ 300mA, 3A
Transistor-Typ

1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Supplier Device-Gehäuse

8-SO
Serie

-
Widerstand - Emitterbasis (R2)

4.7 kOhms
Widerstand - Basis (R1)

4.7 kOhms
Leistung - max

1.5W
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen

568-7229-6
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

100MHz
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 20V 100mA, 3A 100MHz 1.5W Surface Mount 8-SO
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

30 @ 10mA, 5V / 150 @ 2A, 2V
Strom - Collector Cutoff (Max)

1µA, 100nA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA, 3A
Basisteilenummer

PBLS2002

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Das Folgende sind "PBLS2002S,115" -Einziper.

PBLS2003S,115

Beschreibung: TRANS NPN PREBIAS/PNP 1.5W 8SO

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale

vorrätig

PBLS2002S,115

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