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5084668MSMBJ2K5.0E3-Bild.Microsemi Corporation

MSMBJ2K5.0E3

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MSMBJ2K5.0E3
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 5VWM 7.6VC DO214AA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)
    1
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    5.9V
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    5V
  • Spannung - Durchschlag
    SMBJ (DO-214AA)
  • Art
    Zener
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500
  • RoHS Status
    Bulk
  • Ripple Current - Low Frequency
    General Purpose
  • Stromleitungsschutz
    2000W (2kW)
  • Power - Peak Pulse
    10A (8/20µs)
  • Polarisation
    DO-214AA, SMB
  • Andere Namen
    1086-8088
    1086-8088-MIL
  • Betriebstemperatur
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller-Teilenummer
    MSMBJ2K5.0E3
  • Beschreibung
    TVS DIODE 5VWM 7.6VC DO214AA
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    7.6V
  • Kapazität @ Frequenz
    -
  • Bidirektionale Kanäle
    No
MSMBJ2K5.0

MSMBJ2K5.0

Beschreibung: TVS DIODE 5VWM 7.6VC DO214AA

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
MSMBJ2K3.0

MSMBJ2K3.0

Beschreibung: TVS DIODE 3VWM 5.4VC DO214AA

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
MSMBJ2K3.0E3

MSMBJ2K3.0E3

Beschreibung: TVS DIODE 3VWM 5.4VC DO214AA

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
MSMBJ30A/TR

MSMBJ30A/TR

Beschreibung: TVS

Hersteller: Microsemi
vorrätig
MSMBJ30AE3/TR

MSMBJ30AE3/TR

Beschreibung: TVS

Hersteller: Microsemi
vorrätig
MSMBJ2K3.3E3

MSMBJ2K3.3E3

Beschreibung: TVS DIODE 3.3VWM 5.8VC DO214AA

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
MSMBJ28CAE3

MSMBJ28CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 28V 45.4V DO214AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
MSMBJ33AE3

MSMBJ33AE3

Beschreibung: TVS DIODE 33V 53.3V DO214AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
MSMBJ30A

MSMBJ30A

Beschreibung: TVS DIODE 30V 48.4V DO214AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
MSMBJ30AE3

MSMBJ30AE3

Beschreibung: TVS DIODE 30V 48.4V DO214AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
MSMBJ2K4.0E3

MSMBJ2K4.0E3

Beschreibung: TVS DIODE 4VWM 6.3VC DO214AA

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
MSMBJ33A

MSMBJ33A

Beschreibung: TVS DIODE 33V 53.3V DO214AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
MSMBJ33AE3/TR

MSMBJ33AE3/TR

Beschreibung: TVS

Hersteller: Microsemi
vorrätig
MSMBJ33A/TR

MSMBJ33A/TR

Beschreibung: TVS

Hersteller: Microsemi
vorrätig
MSMBJ30CAE3

MSMBJ30CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 30V 48.4V DO214AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
MSMBJ30CA

MSMBJ30CA

Beschreibung: TVS DIODE 30V 48.4V DO214AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
MSMBJ2K4.0

MSMBJ2K4.0

Beschreibung: TVS DIODE 4VWM 6.3VC DO214AA

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
MSMBJ2K4.5E3

MSMBJ2K4.5E3

Beschreibung: TVS DIODE 4.5VWM 6.6VC DO214AA

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
MSMBJ2K4.5

MSMBJ2K4.5

Beschreibung: TVS DIODE 4.5VWM 6.6VC DO214AA

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
MSMBJ2K3.3

MSMBJ2K3.3

Beschreibung: TVS DIODE 3.3VWM 5.8VC DO214AA

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig

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